JXT Technology Co.,Ltd.

Los materiales de obleas epitaxiales de JXT cuentan con propiedades de material avanzadas, como alta calidad cristalina, perfiles de dopaje precisos y banda prohibida personalizada, lo que los hace ideales para una amplia gama de dispositivos semiconductores, incluidos LED, láseres, transistores y sensores. También ofrecemos soluciones personalizadas de material epitaxial (material homoepitaxial y heteroepitaxial) para satisfacer sus necesidades específicas de crecimiento de epitaxia, asegurándonos de que obtenga el material perfecto para sus dispositivos semiconductores.

Podemos ofrecer obleas de epitaxia de alta calidad de MOCVD:

* GaN sobre zafiro Oblea epitaxial

* GaN en oblea epitaxial de silicio

* GaN sobre GaN Oblea epitaxial

* SiC sobre oblea epitaxial de SiC

* GaN en oblea epitaxial de SiC

* Oblea de unión de GaN y diamante

* AlN en oblea epitaxial de zafiro

* Oblea epitaxial de GaAs, oblea epitaxial compuesta